Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких и покрытиях, нанокристаллах и иных образцах (далее - кристаллах) толщиной не более 200 нм с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 10,00 нм в режиме дифракции и в диапазоне линейных размеров от 0,2 до 10,0 нм режиме изображения.
